المجلة الدولية للعلوم والتقنية

International Science and Technology Journal

الرئيسية < البحوث والدراسات < تفاصيل بحث أو دراسة

Structural and Optical Properties of Nickel Oxide Thin Films Deposited by Sol-Gel Dip-Coating Technique

الملخص
في هذا البحث، تم تحضير أغشية نانوية رقيقة من أكسيد النيكل النقي NiO)) بتقنية المحلول الهلامي باستخدام طريقة الترسيب بالغمس على ركائز زجاجية عند درجة حرارة 100 درجة مئوية. دُرست الخصائص البنيوية لجميع الأغشية الرقيقة المُحضرة باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية (XRD)، بينما دُرست الخصائص البصرية للأغشية المُحضرة باستخدام مطيافية الأشعة فوق البنفسجية-المرئية. أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية أن أغشية أكسيد النيكل لها بنية مكعبة متعددة البلورات وأن اتجاه التبلور السائد هو (111). حُسبت المسافة بين المستويات لجميع القمم وثوابت الشبكة، ووجد أن هذه القيم تتفق مع بطاقة المعايير الدولية لأكسيد النيكل. بلغ حجم بلورة الأغشية المُحضرة عند درجة حرارة 100 درجة مئوية 23.97 نانومتر. دُرست الخواص البصرية للأغشية المُحضرة من خلال تسجيل أطياف النفاذية والامتصاصية على مدى الطول الموجي (300-800) نانومتر. أظهرت نتائج الخواص البصرية أن نفاذية الضوء للأغشية تزداد بزيادة الطول الموجي بنسبة (>90%) في منطقة الضوء المرئي وبالقرب من منطقة الأشعة تحت الحمراء، وأن الامتصاصية تقل بزيادة الطول الموجي، وأن حافة الامتصاص تقع عند 360 نانومتر مع طاقة امتصاص تبلغ حوالي (3.44 إلكترون فولت). تشير النتائج التي تم الحصول عليها من أغشية أكسيد النيكل (NiO) إلى أنها شبه موصل بفجوة طاقة بصرية واسعة تبلغ (3.61 إلكترون فولت)................ الكلمات المفتاحية: ..........مواد نانوية، أشباه موصلات، الخواص البصرية، الخواص التركيبية، المحلول الهلامي.
Abstract
In this research, pure nickel oxide (NiO) nano-thin films were prepared by sol-gel technique using dip deposition method on glass substrates at 100°C. The structural properties of all prepared thin films were studied using X-ray diffraction (XRD) technique, while the optical properties of the prepared films were studied using UV-Vis spectroscopy. The XRD results showed that the nickel oxide films have a cubic polycrystalline structure and that the predominant crystallization direction is (111). The interplaner distance for all peaks and the lattice constants were calculated, and these values were found to be in agreement with the International Standards Card for NiO. The crystallite size of the films prepared at 100°C was 23.97 nm, and the dislocations and number of crystals per unit area were also calculated. The optical properties of the prepared films were studied by recording the transmittance and absorbance spectra over the wavelength range (300-800) nm. The optical properties results showed that the light transmittance of the films increases with increasing wavelength by (>90%) in the visible light region and near the infrared region, and the absorbance decreases with increasing wavelength and that the absorption edge is located at 360 nm with an absorption energy of about (3.44 eV). The results obtained from the (NiO) films indicate that it is a semiconductor with a wide optical energy gap of (3.61eV)................. Key words:...... Nanomaterials, Semiconductor, Optical properties, Structure properties, Sol-gel.